M1330-08K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل M1330-08K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل M1330-08K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء M1330-08K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
M1330-08K
- رقم القطعة:
- M1330-08K
- الصانع:
- API Delevan
- وصف:
- FIXED IND 330NH 830MA 220 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 52645 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- M1330-08K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.320" L x 0.125" W (8.13mm x 3.18mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | M1330 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 30 @ 25MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | M1330-08K TR 500 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Phenolic |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 25MHz |
| الحث: | 330nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.145" (3.68mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 410MHz |
| وصف تفصيلي: | 330nH Unshielded Inductor 830mA 220 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 220 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 830mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لM1330-08K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
M1330-00K | API Delevan | FIXED IND 150NH 1.23A 100 MOHM | تحقيق |
|
M1330-04K | API Delevan | FIXED IND 220NH 1.04A 140 MOHM | تحقيق |
|
M1330-10K | API Delevan | FIXED IND 390NH 710MA 300 MOHM | تحقيق |
 |
M13 MAGNETS | Standex-Meder Electronics | ACTUATOR MAGNET FLANGE MNT | تحقيق |
 |
M13 | Standex-Meder Electronics | ACTUATOR MAGNET FLANGE MNT | تحقيق |
|
M1330-26K | API Delevan | FIXED IND 1.8UH 480MA 300 MOHM | تحقيق |
|
M1330-22K | API Delevan | FIXED IND 1.2UH 620MA 180 MOHM | تحقيق |
|
M1330-34K | API Delevan | FIXED IND 3.9UH 263MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
M1330-32K | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 285MA 850 MOHM | تحقيق |
|
M1330-24K | API Delevan | FIXED IND 1.5UH 560MA 220 MOHM | تحقيق |
|
M1330-06K | API Delevan | FIXED IND 270NH 975MA 160 MOHM | تحقيق |
|
M1330-28K | API Delevan | FIXED IND 2.2UH 415MA 400 MOHM | تحقيق |
|
M1330-14K | API Delevan | FIXED IND 560NH 550MA 500 MOHM | تحقيق |
|
M1330-16K | API Delevan | FIXED IND 680NH 500MA 600 MOHM | تحقيق |
|
M1330-30K | API Delevan | FIXED IND 2.7UH 355MA 550 MOHM | تحقيق |
|
M1330-20K | API Delevan | FIXED IND 1UH 390MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
M1330-12K | API Delevan | FIXED IND 470NH 660MA 350 MOHM | تحقيق |
|
M1330-18K | API Delevan | FIXED IND 820NH 420MA 850 MOHM | تحقيق |
|
M1330-02K | API Delevan | FIXED IND 180NH 1.12A 120 MOHM | تحقيق |
 |
M1325-2R5905-R | Bussmann (Eaton) | CAP 9F -20% +80% 2.5V T/H | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل