LXA10FP600 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LXA10FP600، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LXA10FP600 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LXA10FP600 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LXA10FP600
- رقم القطعة:
- LXA10FP600
- الصانع:
- Power Integrations
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56534 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LXA10FP600.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3V @ 10A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 Full Pack |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Qspeed™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 23ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 Full Pack |
| اسماء اخرى: | 596-1374-5 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220 Full Pack |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 10A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLXA10FP600
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LXA03T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 3A TO220AC | تحقيق |
|
LXA08T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | تحقيق |
 |
LXA06B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB | تحقيق |
 |
LXA03D530-TL | Power Integrations | DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO | تحقيق |
|
LXA08B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | تحقيق |
|
LXA20T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC | تحقيق |
|
LXA03B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB | تحقيق |
 |
1N3070 | Microsemi | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 | تحقيق |
 |
CDBQR0140L | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0402 | تحقيق |
 |
LXA08FP600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP | تحقيق |
 |
VS-SD1700C36K | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE MODULE 3.6KV 2080A DO200AC | تحقيق |
|
LXA08T600C | Power Integrations | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220 | تحقيق |
|
LXA06T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 6A TO220AC | تحقيق |
|
LXA03D530 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO | تحقيق |
|
LXA04T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC | تحقيق |
|
LXA16T600C | Power Integrations | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220 | تحقيق |
|
LXA12T600C | Power Integrations | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220 | تحقيق |
|
LXA10T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | تحقيق |
|
LXA04B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB | تحقيق |
|
LXA15T600 | Power Integrations | DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل