LT1964ES5-BYP#TRMPBF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LT1964ES5-BYP#TRMPBF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LT1964ES5-BYP#TRMPBF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LT1964ES5-BYP#TRMPBF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LT1964ES5-BYP#TRMPBF
- رقم القطعة:
- LT1964ES5-BYP#TRMPBF
- الصانع:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- وصف:
- IC REG LIN NEG ADJ 200MA TSOT23
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55817 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | 0.49V @ 200mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | -1.22V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | -20V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | -20V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TSOT-23-5 |
| سلسلة: | - |
| ميزات الحماية: | Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| PSRR: | 54dB (120Hz) |
| نوع المخرجات: | Adjustable |
| تكوين الناتج: | Negative |
| اسماء اخرى: | LT1964ES5-BYP#PBF LT1964ES5-BYP#PBF-ND LT1964ES5-BYP#TRMPBFCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المنظمين: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC Negative Adjustable 1 Output -1.22 V ~ -20 V 200mA TSOT-23-5 |
| الحالي - الناتج: | 200mA |
| ميزات التحكم: | Enable |
| رقم جزء القاعدة: | LT1964 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLT1964ES5-BYP#TRMPBF
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي