LQW18AN5N6G80D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LQW18AN5N6G80D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LQW18AN5N6G80D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LQW18AN5N6G80D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LQW18AN5N6G80D
- رقم القطعة:
- LQW18AN5N6G80D
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 5.6NH 1.9A 40MOHM SMD
- كمية المخزون:
- 53458 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±2% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0603 (1608 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | LQW18 |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| س @ التكرار: | 38 @ 250MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0603 (1608 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مادة - كور: | Air |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| تردد الحث - الاختبار: | 100MHz |
| الحث: | 5.6nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 6.65GHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 40 mOhm Max 0603 (1608 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 40 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.9A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLQW18AN5N6G80D
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل