LQW15AN4N7C80D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LQW15AN4N7C80D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LQW15AN4N7C80D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LQW15AN4N7C80D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LQW15AN4N7C80D
- رقم القطعة:
- LQW15AN4N7C80D
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 4.7NH 1.2A 71 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38104 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.LQW15AN4N7C80D.pdf2.LQW15AN4N7C80D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±0.2nH |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | LQW15 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 31 @ 250MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0402 (1006 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100MHz |
| الحث: | 4.7nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.024" (0.60mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 8GHz |
| وصف تفصيلي: | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 71 mOhm Max 0402 (1006 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 71 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.2A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLQW15AN4N7C80D
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل