LQH3NPN4R7MM0L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LQH3NPN4R7MM0L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LQH3NPN4R7MM0L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LQH3NPN4R7MM0L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LQH3NPN4R7MM0L
- رقم القطعة:
- LQH3NPN4R7MM0L
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 4.7UH 1.25A 130 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58477 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.LQH3NPN4R7MM0L.pdf2.LQH3NPN4R7MM0L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1212 (3030 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | LQH3 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 1212 (3030 Metric) |
| اسماء اخرى: | 490-6642-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1MHz |
| الحث: | 4.7µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.059" (1.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 65MHz |
| وصف تفصيلي: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 156 mOhm Max 1212 (3030 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 156 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1.25A |
| الحالي - التشبع: | 880mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLQH3NPN4R7MM0L
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار