LQG15HH1N0S02D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LQG15HH1N0S02D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LQG15HH1N0S02D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LQG15HH1N0S02D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LQG15HH1N0S02D
- رقم القطعة:
- LQG15HH1N0S02D
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 1NH 1A 70 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52974 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Multilayer |
| تسامح: | ±0.3nH |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0402 (1005 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | LQG15 |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| س @ التكرار: | 8 @ 100MHz |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 0402 (1005 Metric) |
| اسماء اخرى: | 490-11665-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Air |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100MHz |
| الحث: | 1nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.022" (0.55mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 10GHz |
| وصف تفصيلي: | 1nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 70 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 70 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 1A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLQG15HH1N0S02D
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC