LPC54016JBD208E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LPC54016JBD208E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LPC54016JBD208E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LPC54016JBD208E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LPC54016JBD208E
- رقم القطعة:
- LPC54016JBD208E
- وصف:
- 32-BIT ARM CORTEX-M4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32970 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.LPC54016JBD208E.pdf2.LPC54016JBD208E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.71 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 208-LQFP (28x28) |
| سرعة: | 180MHz |
| سلسلة: | LPC540xx |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 360K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | ROMless |
| برنامج حجم الذاكرة: | - |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 208-LQFP |
| اسماء اخرى: | 568-13836 935350939551 LPC54016JBD208E-ND |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 171 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M4 LPC540xx Microcontroller IC 32-Bit 180MHz ROMless 208-LQFP (28x28) |
| محولات البيانات: | A/D 12x12b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M4 |
| الاتصال: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SmartCard, SPI, SPIFI, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLPC54016JBD208E
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة