LPC1837FET256,551 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LPC1837FET256,551، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LPC1837FET256,551 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LPC1837FET256,551 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LPC1837FET256,551
- رقم القطعة:
- LPC1837FET256,551
- وصف:
- IC MCU 32BIT 1MB FLASH 256LBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43388 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.LPC1837FET256,551.pdf2.LPC1837FET256,551.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 2 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 256-LBGA (17x17) |
| سرعة: | 150MHz |
| سلسلة: | LPC18xx |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 136K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 1MB (1M x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, Motor Control PWM, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 256-LBGA |
| اسماء اخرى: | 568-13154 935293795551 LPC1837FET256,551-ND |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 80 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M3 LPC18xx Microcontroller IC 32-Bit 150MHz 1MB (1M x 8) FLASH 256-LBGA (17x17) |
| محولات البيانات: | A/D 16x10b; D/A 1x10b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M3 |
| الاتصال: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Microwire, SD, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB OTG |
| رقم جزء القاعدة: | LPC1837 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLPC1837FET256,551
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة