LM5150QRUMTQ1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LM5150QRUMTQ1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LM5150QRUMTQ1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LM5150QRUMTQ1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LM5150QRUMTQ1
- رقم القطعة:
- LM5150QRUMTQ1
- الصانع:
- TI
- وصف:
- WIDE VIN LOW IQ BOOST CONTROLLER
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31536 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LM5150QRUMTQ1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.5 V ~ 42 V |
| البنية: | Boost |
| متزامن المعدل: | No |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-WQFN (4x4) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| الواجهات التسلسلية: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 16-WQFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | Transistor Driver |
| مراحل الانتاج: | 1 |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | 296-47534-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 40 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وظيفة: | Step-Up |
| تردد - التبديل: | 220kHz ~ 2.3MHz |
| دورة العمل (ماكس): | 91.5% |
| وصف تفصيلي: | Boost Regulator Positive Output Step-Up DC-DC Controller IC 16-WQFN (4x4) |
| ميزات التحكم: | Enable, Current Limit |
| مزامنة على مدار الساعة: | Yes |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLM5150QRUMTQ1
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC