LM5100BMA/NOPB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LM5100BMA/NOPB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LM5100BMA/NOPB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LM5100BMA/NOPB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LM5100BMA/NOPB
- رقم القطعة:
- LM5100BMA/NOPB
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC DVR HALF-BRIDGE HV 8-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45439 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LM5100BMA/NOPB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 9 V ~ 14 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 570ns, 430ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | *LM5100BMA/NOPB LM5100BMANOPB |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 2.3V, - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 118V |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Half-Bridge |
| وصف تفصيلي: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 2A, 2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| رقم جزء القاعدة: | LM5100 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLM5100BMA/NOPB
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM