LM5060Q1MM/NOPB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LM5060Q1MM/NOPB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LM5060Q1MM/NOPB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LM5060Q1MM/NOPB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LM5060Q1MM/NOPB
- رقم القطعة:
- LM5060Q1MM/NOPB
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC CTRL HIGH SIDE AUTO 10MSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44214 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LM5060Q1MM/NOPB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 5.5 V ~ 65 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-VSSOP |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| اسماء اخرى: | LM5060Q1MM/NOPBDKR LM5060Q1MMDKR LM5060Q1MMDKR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | High-Side |
| وصف تفصيلي: | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-VSSOP |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 24µA, 2.2mA |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| رقم جزء القاعدة: | LM5060 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLM5060Q1MM/NOPB
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي