LM4051BEM3-ADJ/NOPB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LM4051BEM3-ADJ/NOPB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LM4051BEM3-ADJ/NOPB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LM4051BEM3-ADJ/NOPB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LM4051BEM3-ADJ/NOPB
- رقم القطعة:
- LM4051BEM3-ADJ/NOPB
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC VREF SHUNT ADJ SOT23-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32455 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LM4051BEM3-ADJ/NOPB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 1.212V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | 10V |
| الجهد - الإدخال: | - |
| تسامح: | ±0.2% |
| معامل درجة الحرارة: | 50ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 |
| سلسلة: | - |
| نوع الإشارة: | Shunt |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| نوع المخرجات: | Adjustable |
| اسماء اخرى: | LM4051BEM3-ADJ/NOPBDKR LM4051BEM3-ADJDKR LM4051BEM3-ADJDKR-ND LM4051BEM3ADJNOPB |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| الضوضاء - 10HZ إلى 10KHZ: | 20µVrms |
| الضوضاء - 0.1Hz إلى 10HZ: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Shunt Voltage Reference IC 10V ±0.2% 12mA SOT-23-3 |
| الحالي - توريد: | - |
| الحالي - الناتج: | 12mA |
| الحالي - القطب السالب: | 70µA |
| رقم جزء القاعدة: | LM4051 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLM4051BEM3-ADJ/NOPB
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل