LM3686TLE-AAED/NOPB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LM3686TLE-AAED/NOPB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LM3686TLE-AAED/NOPB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LM3686TLE-AAED/NOPB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LM3686TLE-AAED/NOPB
- رقم القطعة:
- LM3686TLE-AAED/NOPB
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC REG TRPL BUCK/LDO SYNC 12USMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36681 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LM3686TLE-AAED/NOPB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| ث / المشرف: | No |
| ث / التسلسل: | No |
| ث / سائق الصمام: | No |
| الجهد / الحالي - الناتج 3: | 2.8V, 300mA |
| الجهد / الحالي - الناتج 2: | 1.8V, 350mA |
| الجهد / الحالي - الناتج 1: | 1.2V, 600mA |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| البنية: | Step-Down (Buck) Synchronous (1), Linear (LDO) (2) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 12-µSMD (1.49x2) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 12-WFBGA |
| اسماء اخرى: | *LM3686TLE-AAED/NOPB LM3686TLE-AAED/NOPBCT LM3686TLE-AAEDCT LM3686TLE-AAEDCT-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من المخرجات: | 3 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - التبديل: | 3MHz |
| وصف تفصيلي: | Linear And Switching Voltage Regulator IC 3 Output Step-Down (Buck) Synchronous (1), Linear (LDO) (2) 3MHz 12-µSMD (1.49x2) |
| رقم جزء القاعدة: | LM3686 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLM3686TLE-AAED/NOPB
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات