LGJ12565TS-221M1R0-H متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LGJ12565TS-221M1R0-H، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LGJ12565TS-221M1R0-H عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LGJ12565TS-221M1R0-H مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LGJ12565TS-221M1R0-H
- رقم القطعة:
- LGJ12565TS-221M1R0-H
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 220UH 1.2A 273 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33473 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LGJ12565TS-221M1R0-H.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | Wirewound |
| حجم / البعد: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| سلسلة: | LGJ |
| بنفايات الحالة: | Digi-Reel® |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| الاستقطاب: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 445-15025-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | LGJ12565TS-221M1R0-H |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.256" (6.50mm) |
| نوع الأجهزة: | 220µH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 273 mOhm |
| وصف موسع: | 220µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 273 mOhm Nonstandard |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 220UH 1.2A 273 MOHM |
| وقت التأخير: | 1kHz |
| DC المقاومة (DCR): | 1A |
| التصويت الحالي: | 1.2A |
| الحالي - التشبع: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLGJ12565TS-221M1R0-H
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025