LFECP20E-4F484I متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LFECP20E-4F484I، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LFECP20E-4F484I عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LFECP20E-4F484I مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LFECP20E-4F484I
- رقم القطعة:
- LFECP20E-4F484I
- الصانع:
- Lattice Semiconductor
- وصف:
- IC FPGA 360 I/O 484FBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 38937 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LFECP20E-4F484I.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| إجمالي القطع من ذاكرة الوصول العشوائي: | 434176 |
| تجار الأجهزة حزمة: | 484-FPBGA (23x23) |
| سلسلة: | ECP |
| حزمة / كيس: | 484-BBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| عدد من عناصر المنطق / خلايا: | 19700 |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 360 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| رقم جزء القاعدة: | LFECP20 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLFECP20E-4F484I
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل