LET9060F متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LET9060F، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LET9060F عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LET9060F مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LET9060F
- رقم القطعة:
- LET9060F
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 12A M-250
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53868 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LET9060F.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 80V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | M250 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 75W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | M250 |
| اسماء اخرى: | 497-12846 LET9060F-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 945MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 945MHz 18dB 75W M250 |
| التصويت الحالي: | 12A |
| الحالي - اختبار: | 400mA |
| رقم جزء القاعدة: | LET9060 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLET9060F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LET9060 | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | تحقيق |
 |
LET9120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 18A M-246 | تحقيق |
 |
LET9045F | STMicroelectronics | FET RF LDMOS 80V 9A M-250 | تحقيق |
 |
LET9070CB | STMicroelectronics | MOSF RF N CH 80V 12A M243 | تحقيق |
 |
LET9060S | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | تحقيق |
|
LET16060C | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.6GHZ M243 | تحقيق |
 |
LET9045TR | STMicroelectronics | RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF | تحقيق |
|
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | تحقيق |
 |
LET9045 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | تحقيق |
|
LET9060TR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
|
LET9060STR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
LET9180 | STMicroelectronics | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 | تحقيق |
|
LET9150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 20A M-246 | تحقيق |
|
LET9070FB | STMicroelectronics | RF MOSFET LDMOS 28V M250 | تحقيق |
|
LET16045C | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.6GHZ M243 | تحقيق |
|
LET9060C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-243 | تحقيق |
|
LET9045S | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | تحقيق |
 |
LET9045C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 9A M-250 | تحقيق |
|
LET20030C | STMicroelectronics | FET RF 80V 2GHZ M243 | تحقيق |
|
LET9045STR | STMicroelectronics | RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC