LEM2520T1R8J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LEM2520T1R8J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LEM2520T1R8J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LEM2520T1R8J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LEM2520T1R8J
- رقم القطعة:
- LEM2520T1R8J
- الصانع:
- Taiyo Yuden
- وصف:
- FIXED IND 1.8UH 210MA 1.45 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43786 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LEM2520T1R8J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1008 (2520 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | LE, M Type |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 30 @ 7.96MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1008 (2520 Metric) |
| اسماء اخرى: | LE LEM 2520T 1R8J |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 7.96MHz |
| الحث: | 1.8µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.079" (2.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 100MHz |
| وصف تفصيلي: | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 210mA 1.45 Ohm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 1.45 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 210mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLEM2520T1R8J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
LEM2520T1R2J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1.2UH 230MA 1.2 OHM | تحقيق |
|
LEM2520T2R2J | Taiyo Yuden | FIXED IND 2.2UH 200MA 1.55 OHM | تحقيق |
|
LEM2520T120J | Taiyo Yuden | FIXED IND 12UH 150MA 3.8 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T101J | Taiyo Yuden | FIXED IND 100UH 60MA 21 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T33NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 33NH 400MA 460 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T270J | Taiyo Yuden | FIXED IND 27UH 115MA 6.3 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T12NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 120NH 500MA 270 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T220J | Taiyo Yuden | FIXED IND 22UH 125MA 5.5 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T390J | Taiyo Yuden | FIXED IND 39UH 90MA 9.5 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T18NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 18NH 450MA 340 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T180J | Taiyo Yuden | FIXED IND 18UH 130MA 4.8 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T39NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 390NH 380MA 500 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T2R7J | Taiyo Yuden | FIXED IND 2.7UH 195MA 1.7 OHM | تحقيق |
|
LEM2520T1R0J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1UH 245MA 1.1 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T1R5J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1.5UH 220MA 1.3 OHM | تحقيق |
|
LEM2520T27NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 27NH 410MA 420 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T22NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 22NH 420MA 380 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T330J | Taiyo Yuden | FIXED IND 33UH 110MA 7.1 OHM SMD | تحقيق |
|
LEM2520T15NK | Taiyo Yuden | FIXED IND 15NH 480MA 310 MOHM | تحقيق |
|
LEM2520T150J | Taiyo Yuden | FIXED IND 15UH 140MA 4.4 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل