LC4256V-5FTN256BI متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LC4256V-5FTN256BI، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LC4256V-5FTN256BI عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LC4256V-5FTN256BI مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LC4256V-5FTN256BI
- رقم القطعة:
- LC4256V-5FTN256BI
- الصانع:
- Lattice Semiconductor
- وصف:
- IC CPLD 256MC 5NS 256FTBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45087 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| امدادات التيار الكهربائي - الداخلية: | 3 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 256-FTBGA (17x17) |
| سلسلة: | ispMACH® 4000V |
| برمجة نوع: | In System Programmable |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 256-LBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TJ) |
| عدد Macrocells: | 256 |
| عدد من عناصر المنطق / بنات: | 16 |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 160 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تأخر الوقت طن يوميا (1) ماكس: | 5.0ns |
| رقم جزء القاعدة: | LC4256 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLC4256V-5FTN256BI
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل