LAE3-35EA-6FN484E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل LAE3-35EA-6FN484E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل LAE3-35EA-6FN484E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء LAE3-35EA-6FN484E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
LAE3-35EA-6FN484E
- رقم القطعة:
- LAE3-35EA-6FN484E
- الصانع:
- Lattice Semiconductor
- وصف:
- IC FPGA 295 I/O 484FBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24693 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- LAE3-35EA-6FN484E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| إجمالي القطع من ذاكرة الوصول العشوائي: | 1358848 |
| تجار الأجهزة حزمة: | 484-FPBGA (23x23) |
| سلسلة: | LA-ECP3 |
| حزمة / كيس: | 484-BBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| عدد من عناصر المنطق / خلايا: | 33000 |
| عدد من مختبرات / CLBs: | 4125 |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 295 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| رقم جزء القاعدة: | LAE3-35EA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLAE3-35EA-6FN484E
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار