L9347LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل L9347LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل L9347LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء L9347LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
L9347LF
- رقم القطعة:
- L9347LF
- الصانع:
- STMicroelectronics
- وصف:
- IC DRIVER LOW SIDE QUAD POWERSO3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51867 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- L9347LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 4.8 V ~ 18 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerSO-36 |
| سلسلة: | - |
| رديز أون (تيب): | - |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | Low Side |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عدد من المخرجات: | 4 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | Status Flag |
| حماية الأخطاء: | Open Load Detect, Over Temperature |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 2.5A, 5A |
| رقم جزء القاعدة: | L9347 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لL9347LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
L9349TR-LF | STMicroelectronics | IC IPS LOW SIDE QUAD POWERSO20 | تحقيق |
 |
L9348 | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LO SIDE PWRSOIC36 | تحقيق |
 |
L9347PD | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 36-SOIC | تحقيق |
|
L9347LF-TR | STMicroelectronics | IC DRIVER LOW SIDE QUAD POWERSO3 | تحقيق |
 |
L9339 | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE SOIC-20 | تحقيق |
|
L9333MD-TR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 20SOIC | تحقيق |
 |
L9362 | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LO SIDE POWERSO36 | تحقيق |
|
L9347PD-TR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 36SOIC | تحقيق |
|
L9337MD/TR | STMicroelectronics | IC DRIVER TRIPLE LOW SIDE 20SOIC | تحقيق |
|
L9338D | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE SOIC-20 | تحقيق |
|
L9338DTR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE SOIC-20 | تحقيق |
|
L9338MD | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 20-SOIC | تحقيق |
|
L9339-TR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 20SOIC | تحقيق |
|
L9339MD-TR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 20SOIC | تحقيق |
|
L9349-LF | STMicroelectronics | IC IPS LOW SIDE QUAD POWERSO20 | تحقيق |
|
L9348-TR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LO SIDE PWRSOIC36 | تحقيق |
|
L9339MD | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE SOIC-20 | تحقيق |
|
L9338MD/TR | STMicroelectronics | IC DRIVER QUAD LOW SIDE 20-SOIC | تحقيق |
|
L9352B-TR-LF | STMicroelectronics | IC IPS LOW SIDE QUAD POWERSO36 | تحقيق |
|
L9352B-LF | STMicroelectronics | IC IPS LOW SIDE QUAD POWERSO36 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل