KY50VB3R3M5X11LL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل KY50VB3R3M5X11LL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل KY50VB3R3M5X11LL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء KY50VB3R3M5X11LL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
KY50VB3R3M5X11LL
- رقم القطعة:
- KY50VB3R3M5X11LL
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM 3.3UF 20% 50V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 44108 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- KY50VB3R3M5X11LL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| سلسلة: | KY |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 5000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.079" (2.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة: | 2.2 Ohms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.433" (11.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 3.3µF 50V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 3.3µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لKY50VB3R3M5X11LL
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي