KBL406G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل KBL406G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل KBL406G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء KBL406G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
KBL406G
- رقم القطعة:
- KBL406G
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE BRIDGE 600V 4A KBL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35207 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.KBL406G.pdf2.KBL406G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 600V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 4A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | KBL |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, KBL |
| اسماء اخرى: | KBL406GGN |
| درجة حرارة التشغيل: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لKBL406G
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار