JANTXV2N6308 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV2N6308، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV2N6308 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV2N6308 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV2N6308
- رقم القطعة:
- JANTXV2N6308
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANS NPN 350V 8A TO3
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20346 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV2N6308.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 350V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 5V @ 2.67A, 8A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-204AA (TO-3) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/498 |
| السلطة - ماكس: | 125W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-204AA, TO-3 |
| اسماء اخرى: | 1086-21108 1086-21108-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 8A 125W Through Hole TO-204AA (TO-3) |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 12 @ 3A, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 50µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV2N6308
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV2N6546 | Microsemi | TRANS NPN 300V 15A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6547 | Microsemi | TRANS NPN 400V 15A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6437 | Microsemi | TRANS PNP 100V 25A | تحقيق |
|
JANTXV2N6350 | Microsemi | TRANS NPN DARL 80V 5A TO33 | تحقيق |
|
JANTXV2N6306 | Microsemi | TRANS NPN 250V 8A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6251T1 | Microsemi | TRANS NPN 350V 10A TO-3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6351 | Microsemi | TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 | تحقيق |
|
JANTXV2N6384 | Microsemi | TRANS NPN DARL 60V 10A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6284 | Microsemi | NPN TRANSISTOR | تحقيق |
|
JANTXV2N6352 | Microsemi | TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33 | تحقيق |
|
JANTXV2N6300 | Microsemi | TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 | تحقيق |
|
JANTXV2N6286 | Microsemi | TRANS PNP DARL 80V 20A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6250T1 | Microsemi | TRANS NPN 275V 10A TO-3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6283 | Microsemi | TRANS NPN DARL 80V 20A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6353 | Microsemi | TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 | تحقيق |
|
JANTXV2N6383 | Microsemi | TRANS NPN DARL 40V 10A TO3 | تحقيق |
|
JANTXV2N6385 | Microsemi | TRANS NPN DARL 80V 10A TO3 | تحقيق |
 |
JANTXV2N6287 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE | تحقيق |
|
JANTXV2N6298 | Microsemi | TRANS PNP DARL 60V 8A TO66 | تحقيق |
 |
JANTXV2N6301 | Microsemi | TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة