JANTXV2N3767 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV2N3767، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV2N3767 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV2N3767 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV2N3767
- رقم القطعة:
- JANTXV2N3767
- وصف:
- TRANS NPN 80V 4A TO-66
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 23085 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV2N3767.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 80V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 2.5V @ 100mA, 1A |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-66 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/518 |
| السلطة - ماكس: | 25W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-213AA, TO-66-2 |
| اسماء اخرى: | 1657-1222 1657-1222-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 25W Through Hole TO-66 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 40 @ 500mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 500µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV2N3767
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU