JANTXV1N6640US متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N6640US، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N6640US عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N6640US مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N6640US
- رقم القطعة:
- JANTXV1N6640US
- وصف:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 52045 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N6640US.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 200mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-5D |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/578 & /609 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 4ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, D |
| اسماء اخرى: | 1657-1207 1657-1207-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 50V 300mA (DC) Surface Mount D-5D |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 90µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 300mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N6640US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6632 | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | تحقيق |
|
JANTXV1N6638 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6639 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6642UBCC | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JANTXV1N6642UB | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
 |
JANTXV1N6638 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 125V 300MA D-PAK | تحقيق |
|
JANTXV1N6633US | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N6635US | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N6642UB2R | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
|
JANTXV1N6639US | Microsemi | SWITCHING DIODE | تحقيق |
|
JANTXV1N6641 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6642UB2 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
|
JANTXV1N6642 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 300MA | تحقيق |
 |
JANTXV1N6640 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D | تحقيق |
|
JANTXV1N6636 | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 5W AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N6641US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N6642U | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 300MA D5D | تحقيق |
|
JANTXV1N6637US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N6642UBD | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JANTXV1N6642UBCA | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار