JANTXV1N4466DUS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N4466DUS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N4466DUS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N4466DUS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N4466DUS
- رقم القطعة:
- JANTXV1N4466DUS
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 11V 1.5W D5A
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 44024 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N4466DUS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز): | 11V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 200mA |
| تسامح: | ±1% |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-5A |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/406 |
| السلطة - ماكس: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, A |
| اسماء اخرى: | 1086-17731 1086-17731-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 6 Ohms |
| وصف تفصيلي: | Zener Diode 11V 1.5W ±1% Surface Mount D-5A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300nA @ 8.8V |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N4466DUS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N4465C | Microsemi | DIODE ZENER 10V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4467C | Microsemi | DIODE ZENER 12V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4464D | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO41 | تحقيق |
 |
JANTXV1N4465US | Microsemi | DIODE ZENER 10V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N4467DUS | Microsemi | DIODE ZENER 12V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N4468 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 13V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4464US | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N4464C | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4465D | Microsemi | DIODE ZENER 10V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4468US | Microsemi | DIODE ZENER 13V 1.5W D5A | تحقيق |
 |
JANTXV1N4465 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 1.5W DO204AL | تحقيق |
|
JANTXV1N4466CUS | Microsemi | DIODE ZENER 11V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N4466C | Microsemi | DIODE ZENER 11V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4466 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
JANTXV1N4467 | Microsemi | DIODE ZENER 12V 1.5W DO204AL | تحقيق |
|
JANTXV1N4468C | Microsemi | DIODE ZENER 13V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4468D | Microsemi | DIODE ZENER 13V 1.5W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N4466US | Microsemi | DIODE ZENER 11V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N4467US | Microsemi | DIODE ZENER 12V 1.5W D5A | تحقيق |
|
JANTXV1N4467D | Microsemi | DIODE ZENER 12V 1.5W DO41 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل