JANTXV1N4153UR-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N4153UR-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N4153UR-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N4153UR-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N4153UR-1
- رقم القطعة:
- JANTXV1N4153UR-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54495 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N4153UR-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 150mA |
| الجهد - انهيار: | DO-213AA |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/337 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| المقاومة @ إذا، F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-213AA |
| اسماء اخرى: | 1086-15722 1086-15722-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 4ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N4153UR-1 |
| وصف موسع: | Diode Standard 50V 150mA Surface Mount DO-213AA |
| تكوين الصمام الثنائي: | 50nA @ 50V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 880mV @ 20mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 50V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N4153UR-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N4247 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4246 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTXV1N4370AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UB2R | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | تحقيق |
|
JANTXV1N4153-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UBCA | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | تحقيق |
 |
JANTXV1N4150UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | تحقيق |
 |
JANTXV1N4370C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UBCC | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | تحقيق |
 |
JANTXV1N4249 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4370-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UR-1 | Aeroflex Metelics, Division of MACOM | DIODE SW 75V 200MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4370CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UB2 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | تحقيق |
 |
JANTXV1N4150-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4370D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4245 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N4148UBD | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | تحقيق |
|
JANTXV1N4248 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل