JANTXV1N4116-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N4116-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N4116-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N4116-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N4116-1
- رقم القطعة:
- JANTXV1N4116-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 24V 500MW DO35
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20526 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N4116-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 150 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-35 (DO-204AH) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| الاستقطاب: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-15550-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N4116-1 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 24V |
| وصف موسع: | Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10nA @ 18.3V |
| وصف: | DIODE ZENER 24V 500MW DO35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N4116-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N4115DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO213AA | تحقيق |
 |
JANTXV1N4115-1 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4117-1 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE ZENER 25V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4115UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4116CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 24V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4116UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 24V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4117-1 | Microsemi | DIODE ZENER 25V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4115CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4116-1 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE ZENER 24V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4117C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 25V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4116C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 24V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4116D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 24V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4117D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 25V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4114D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 20V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4114UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 20V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4115D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4114DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 20V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4117CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 25V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N4115C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N4116DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 24V 500MW DO213AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل