JANTXV1N3600 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N3600، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N3600 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N3600 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N3600
- رقم القطعة:
- JANTXV1N3600
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- ZENER DIODE
- حالة خالية من الرصاص:
- بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 48741 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N3600.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 200mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-7 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| بنفايات الحالة: | RoHS non-compliant |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 4ns |
| حزمة / كيس: | DO-204AA, DO-7, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| نوع الصمام الثنائي: | - |
| وصف تفصيلي: | Diode 50V 200mA Through Hole DO-7 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100nA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 200mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N3600
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N3595A-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JANTXV1N3673AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JANTXV1N3595-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO204 | تحقيق |
|
JANTXV1N3768 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3766R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3766 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | تحقيق |
|
JANTXV1N3821A-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N3045D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N3318B | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | تحقيق |
 |
JANTXV1N3821CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3595AUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N3821AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3313B | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | تحقيق |
|
JANTXV1N3671A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JANTXV1N3595UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JANTXV1N3070UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 | تحقيق |
|
JANTXV1N3768R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3045DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO213AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي