JANTXV1N3019B-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTXV1N3019B-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTXV1N3019B-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTXV1N3019B-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTXV1N3019B-1
- رقم القطعة:
- JANTXV1N3019B-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 9.1V 1W DO41
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 33685 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N3019B-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 6 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-41 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/115 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| الاستقطاب: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-16324 1086-16324-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N3019B-1 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 9.1V |
| وصف موسع: | Zener Diode 1W ±5% Through Hole DO-41 |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 25µA @ 6.9V |
| وصف: | DIODE ZENER 9.1V 1W DO41 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.2V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N3019B-1
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار