JANTX1N6643 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTX1N6643، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTX1N6643 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTX1N6643 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTX1N6643
- رقم القطعة:
- JANTX1N6643
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54712 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTX1N6643.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 100mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 125V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 05 Plastic Package |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 6ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-15442 1086-15442-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 125V 300mA Through Hole 05 Plastic Package |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50nA @ 20V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 300mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTX1N6643
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6642UBCA | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
 |
JANTX1N6642 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | تحقيق |
|
JANTX1N6642UBD | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JANTX1N6662 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA DO35 | تحقيق |
 |
JANTX1N6643 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 50V 300MA | تحقيق |
 |
JANTX1N6642US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | تحقيق |
 |
JANTX1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | تحقيق |
|
JANTX1N6661 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35 | تحقيق |
|
JANTX1N6660DT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
 |
JANTX1N6643US | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D | تحقيق |
|
JANTX1N6642UB2R | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
|
JANTX1N6660CAT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JANTX1N6642UBCC | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
 |
JANTX1N6642US | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D | تحقيق |
 |
JANTX1N6660 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JANTX1N6642UB2 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
|
JANTX1N6642UB | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JANTX1N6643U | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | تحقيق |
|
JANTX1N6642U | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5B | تحقيق |
|
JANTX1N6660CCT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة