JANTX1N5618US متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTX1N5618US، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTX1N5618US عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTX1N5618US مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTX1N5618US
- رقم القطعة:
- JANTX1N5618US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 31209 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTX1N5618US.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.3V @ 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-5A |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/427 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 2µs |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, A |
| اسماء اخرى: | 1086-2468 1086-2468-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 200°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500nA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTX1N5618US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N5618 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTX1N5619US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTX1N5620US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | تحقيق |
 |
JANTX1N5621 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N5622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | تحقيق |
|
JANTX1N5623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | تحقيق |
|
JANTX1N5621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTX1N5623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N5616 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5617 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5554 | Semtech | D MET 3A STD 1KV HR | تحقيق |
|
JANTX1N5622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N5554US | Semtech | D MET 3A STD 1KV HR SM | تحقيق |
 |
JANTX1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | تحقيق |
|
JANTX1N5620 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N5615 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N5619 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5617US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM