JANTX1N5195 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JANTX1N5195، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JANTX1N5195 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JANTX1N5195 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JANTX1N5195
- رقم القطعة:
- JANTX1N5195
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 48808 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JANTX1N5195.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 200mA |
| الجهد - انهيار: | DO-35 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/118 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-15755 1086-15755-MIL |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JANTX1N5195 |
| وصف موسع: | Diode Standard 180V 200mA Through Hole DO-35 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1µA @ 200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1V @ 100mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 180V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTX1N5195
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N5186 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N4996US | Microsemi | DIODE ZENER 390V 5W D5B | تحقيق |
 |
JANTX1N5287UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N5187 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JANTX1N5288UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N5283-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N5286UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N4994 | Microsemi | DIODE ZENER 330V 5W AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5190 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N4994US | Microsemi | DIODE ZENER 330V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTX1N5285-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N5284UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N4996 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 5W D5B | تحقيق |
|
JANTX1N5188 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTX1N5194 | Microsemi | DIODE GEN PURP 70V 50MA DO35 | تحقيق |
|
JANTX1N5287-1 | Microsemi | DIODE REG 500MW DO-7 | تحقيق |
|
JANTX1N5288-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N5196 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35 | تحقيق |
|
JANTX1N5285UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JANTX1N4995 | Microsemi | DIODE ZENER 360V 5W AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل