JAN2N6770T1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN2N6770T1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN2N6770T1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN2N6770T1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN2N6770T1
- رقم القطعة:
- JAN2N6770T1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH TO-254AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 45513 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN2N6770T1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-254AA |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| اسماء اخرى: | JAN2N6770T1-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 120nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N6770T1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N6796U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6784U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6782U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6788 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6768T1 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
|
JAN2N6766T1 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
|
JAN2N6762 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6758 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6764 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6766 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6768 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6796 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6760 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6790 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6790U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6784 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6788U | Microsemi | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6764T1 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
|
JAN2N6782 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6770 | Microsemi | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل