JAN2N2326AS متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN2N2326AS، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN2N2326AS عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN2N2326AS مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN2N2326AS
- رقم القطعة:
- JAN2N2326AS
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SILICON CTRL TO39
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 36276 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN2N2326AS.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الدولة معطلة: | 200V |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 600mV |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-39 (TO-205AD) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/276 |
| نوع SCR: | Sensitive Gate |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| اسماء اخرى: | 1086-20706 1086-20706-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SCR 200V Sensitive Gate Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 220mA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | - |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 2mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 20µA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N2326AS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N2325A | Microsemi | SCR 150V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2326AU4 | Microsemi | SCR 200V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2325U4 | Microsemi | SCR 150V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2326A | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO-5 | تحقيق |
|
JAN2N2328S | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO39 | تحقيق |
|
JAN2N2325AS | Microsemi | SCR 150V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2326U4 | Microsemi | SCR 200V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2328A | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO-5 | تحقيق |
|
JAN2N2329 | Microsemi | SCR 400V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2325AU4 | Microsemi | SCR 150V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2328AU4 | Microsemi | SCR 300V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2328AS | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO39 | تحقيق |
|
JAN2N2325S | Microsemi | SCR 150V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2325 | Microsemi | SCR 150V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2328U4 | Microsemi | SCR 300V 3SMD | تحقيق |
|
JAN2N2326 | Microsemi | SCR 200V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2324S | Microsemi | SCR 100V TO205AA | تحقيق |
|
JAN2N2328 | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO-5 | تحقيق |
|
JAN2N2326S | Microsemi | DIODE SILICON CTRL TO39 | تحقيق |
|
JAN2N2324U4 | Microsemi | SCR 100V 3SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي