JAN1N6627 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N6627، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N6627 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N6627 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N6627
- رقم القطعة:
- JAN1N6627
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 36315 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N6627.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.35V @ 1.2A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 440V |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | E, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-2304 1086-2304-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 440V 1.75A Through Hole |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2µA @ 440V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1.75A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6627
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N6628US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | تحقيق |
|
JAN1N6625 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | تحقيق |
|
JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | تحقيق |
|
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6630 | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | تحقيق |
|
JAN1N6629U | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF | تحقيق |
 |
JAN1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | تحقيق |
|
JAN1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B | تحقيق |
|
JAN1N6624 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | تحقيق |
|
JAN1N6630U | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات