JAN1N5312-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N5312-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N5312-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N5312-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N5312-1
- رقم القطعة:
- JAN1N5312-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE CURRENT REG 100V
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20843 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N5312-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإدخال: | 100V (Max) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-7 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/463 |
| طريقة الاستشعار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-204AA, DO-7, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-18915 1086-18915-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 30 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وظيفة: | Current Regulator |
| وصف تفصيلي: | Current Regulator Regulator 3.9mA DO-7 |
| الحالي - الناتج: | 3.9mA |
| دقة: | ±10% |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N5312-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5314UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
 |
JAN1N5310-1 | Microsemi | RECTIFIER | تحقيق |
|
JAN1N5313-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5309UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5307-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5311-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5313UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5308-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5310UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5312UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
 |
JAN1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5309-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5311UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
 |
JAN1N5416US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5307UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5415 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5308UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
|
JAN1N5314-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS