JAN1N4103UR-1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN1N4103UR-1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN1N4103UR-1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN1N4103UR-1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN1N4103UR-1
- رقم القطعة:
- JAN1N4103UR-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE ZENER 9.1V DO213AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 47322 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN1N4103UR-1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العزلة: | 200 Ohm |
| الجهد - انهيار: | DO-213AA |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| السلطة - ماكس: | - |
| الاستقطاب: | DO-213AA |
| اسماء اخرى: | 1086-17024 1086-17024-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N4103UR-1 |
| مقاومة (ماكس) (Zzt): | 9.1V |
| وصف موسع: | Zener Diode ±5% Surface Mount DO-213AA |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±5% |
| تكوين الصمام الثنائي: | 500nA @ 7V |
| وصف: | DIODE ZENER 9.1V DO213AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N4103UR-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4104DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 10V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4102CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 8.7V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4102DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 8.7V DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N4105C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 11V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4103C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4104C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 10V DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4103DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4103-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4104D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 10V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4104UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 10V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4104CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 10V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4105D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 11V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4105-1 | Microsemi | DIODE ZENER 11V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4103CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4105CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 11V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4102UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 8.7V DO213AA | تحقيق |
|
JAN1N4103D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4102C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 8.7V DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N4104-1 | Microsemi | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 | تحقيق |
|
JAN1N4102D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 8.7V DO35 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة