J112,126 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل J112,126، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل J112,126 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء J112,126 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
J112,126
- رقم القطعة:
- J112,126
- وصف:
- JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41115 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- J112,126.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 1V @ 1µA |
| الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - RDS (على): | 50 Ohms |
| السلطة - ماكس: | 400mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| اسماء اخرى: | 934005270126 J112 AMO J112 AMO-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6pF @ 10V (VGS) |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3 |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 5mA @ 15V |
| رقم جزء القاعدة: | J112 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJ112,126
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار