IXYQ40N65C3D1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXYQ40N65C3D1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXYQ40N65C3D1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXYQ40N65C3D1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXYQ40N65C3D1
- رقم القطعة:
- IXYQ40N65C3D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT
- كمية المخزون:
- 53478 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXYQ40N65C3D1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.35V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 23ns/110ns |
| تحويل الطاقة: | 830µJ (on), 650µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | XPT™, GenX3™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 40ns |
| السلطة - ماكس: | 300W |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 66nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT 650V 80A 300W Through Hole TO-3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 180A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 80A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYQ40N65C3D1
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل