IXTY3N60P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTY3N60P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTY3N60P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTY3N60P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTY3N60P
- رقم القطعة:
- IXTY3N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52090 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTY3N60P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 50µA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.9 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 70W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 411pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY3N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY8N70X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 | تحقيق |
|
IXTY4N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252 | تحقيق |
|
IXTY1R6N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | تحقيق |
|
IXTY64N055T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252 | تحقيق |
|
IXTY8N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252 | تحقيق |
|
IXTY55N075T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY44N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 44A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2R4N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | تحقيق |
|
IXTY4N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-252 | تحقيق |
|
IXTY3N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK | تحقيق |
|
IXTY24N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY50N085T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 50A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK | تحقيق |
|
IXTY5N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY32P05T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 50V 32A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY2N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY26P10T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 | تحقيق |
|
IXTY48P05T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 50V 48A TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU