العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTR40P50P
IXTR40P50P
IXTR40P50P
رقم القطعة:
IXTR40P50P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
44585 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXTR40P50P.pdf
تحقيق

المقدمة

IXTR40P50P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTR40P50P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTR40P50P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTR40P50P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:260 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):312W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:11500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:205nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:P-Channel 500V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTR40P50P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTR90P20P Image IXTR90P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 تحقيق
IXTT02N450HV Image IXTT02N450HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 تحقيق
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 تحقيق
IXTT100N25P Image IXTT100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 تحقيق
IXTR90P10P Image IXTR90P10P IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR36P15P Image IXTR36P15P IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR48P20P Image IXTR48P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR16P60P Image IXTR16P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR120P20T Image IXTR120P20T IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247 تحقيق
IXTT10N100D Image IXTT10N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 تحقيق
IXTR30N25 Image IXTR30N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 تحقيق
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 تحقيق
IXTR32P60P Image IXTR32P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR210P10T Image IXTR210P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR20P50P Image IXTR20P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 تحقيق
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 تحقيق
IXTR62N15P Image IXTR62N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS-247 تحقيق
IXTR200N10P Image IXTR200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR170P10P Image IXTR170P10P IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR140P10T Image IXTR140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247 تحقيق

Latest الأخبار