IXTP36N20T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTP36N20T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTP36N20T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTP36N20T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXTP36N20T
- رقم القطعة:
- IXTP36N20T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41861 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXTP36N20T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 200V 36A (Tc) Through Hole TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTP36N20T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP32N65X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP34N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXTP2R4N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP3N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB | تحقيق |
|
IXTP36N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP36P15P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 36A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP3N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB | تحقيق |
|
IXTP32P05T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP3N110 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP3N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP340N04T4 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 40V 340A | تحقيق |
|
IXTP3N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB | تحقيق |
|
IXTP3N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP32N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 32A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP2R4N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP36N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP32P20T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 32A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP300N04T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP32N65XM | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 14A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP38N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 38A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل