العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTH50P10
IXTH50P10
IXTH50P10
رقم القطعة:
IXTH50P10
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
36135 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXTH50P10.pdf
تحقيق

المقدمة

IXTH50P10 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTH50P10، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTH50P10 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTH50P10 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 (IXTH)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:55 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:606059
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4350pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:140nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف تفصيلي:P-Channel 100V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTH50P10

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTH48N20 Image IXTH48N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 تحقيق
IXTH52N65X Image IXTH52N65X IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 52A TO-247 تحقيق
IXTH60N15 Image IXTH60N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 تحقيق
IXTH56N15T Image IXTH56N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 تحقيق
IXTH50N30 Image IXTH50N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 تحقيق
IXTH50N25T Image IXTH50N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 50A TO-247 تحقيق
IXTH60N25 Image IXTH60N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 تحقيق
IXTH48N20T Image IXTH48N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 48A TO-247 تحقيق
IXTH4N150 Image IXTH4N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247 تحقيق
IXTH60N20L2 Image IXTH60N20L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 تحقيق
IXTH50P085 Image IXTH50P085 IXYS Corporation MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD تحقيق
IXTH60N30T Image IXTH60N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 تحقيق
IXTH54N30T Image IXTH54N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 تحقيق
IXTH48N65X2 Image IXTH48N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 48A TO-247 تحقيق
IXTH50N20 Image IXTH50N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD تحقيق
IXTH48P20P Image IXTH48P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 تحقيق
IXTH60N10 Image IXTH60N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 تحقيق
IXTH500N04T2 Image IXTH500N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 تحقيق
IXTH5N100A Image IXTH5N100A IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD تحقيق
IXTH52P10P Image IXTH52P10P IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار