العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTC250N075T
IXTC250N075T
IXTC250N075T
رقم القطعة:
IXTC250N075T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
25545 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.IXTC250N075T.pdf2.IXTC250N075T.pdf
تحقيق

المقدمة

IXTC250N075T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTC250N075T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTC250N075T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTC250N075T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS220™
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.4 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):160W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS220™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:200nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):75V
وصف تفصيلي:N-Channel 75V 128A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:128A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTC250N075T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTC160N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220 تحقيق
IXTD3N60P-2J IXYS Corporation MOSFET N-CH 600 تحقيق
IXTC230N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC220N075T Image IXTC220N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC75N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC36P15P Image IXTC36P15P IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC280N055T Image IXTC280N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC220N055T Image IXTC220N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC160N10T Image IXTC160N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 تحقيق
IXTD1R4N60P 11 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V تحقيق
IXTD2N60P-1J IXYS Corporation MOSFET N-CH 600 تحقيق
IXTC180N10T Image IXTC180N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC72N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC26N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 تحقيق
IXTD3N50P-2J IXYS Corporation MOSFET N-CH 500 تحقيق
IXTC62N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH ISOPLUS-220 تحقيق
IXTC180N085T Image IXTC180N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC180N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220 تحقيق
IXTC240N055T Image IXTC240N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 تحقيق
IXTC200N10T Image IXTC200N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 تحقيق

Latest الأخبار