العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
رقم القطعة:
IXTA1N170DHV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
32900 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXTA1N170DHV.pdf
تحقيق

المقدمة

IXTA1N170DHV متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXTA1N170DHV، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXTA1N170DHV عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXTA1N170DHV مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:16 Ohm @ 500mA, 0V
تبديد الطاقة (ماكس):290W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3090pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:47nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1700V
وصف تفصيلي:N-Channel 1700V 1A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA1N170DHV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA1N100P Image IXTA1N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 تحقيق
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 تحقيق
IXTA1R6N100D2 Image IXTA1R6N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK تحقيق
IXTA180N085T Image IXTA180N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A TO-263 تحقيق
IXTA180N10T7 Image IXTA180N10T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 تحقيق
IXTA1R6N50D2 Image IXTA1R6N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK تحقيق
IXTA180N085T7 Image IXTA180N085T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 تحقيق
IXTA18P10T Image IXTA18P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 تحقيق
IXTA180N10T Image IXTA180N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 تحقيق
IXTA1R4N120P Image IXTA1R4N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 تحقيق
IXTA200N075T7 Image IXTA200N075T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 تحقيق
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 تحقيق
IXTA1R6N100D2HV Image IXTA1R6N100D2HV IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXTA1N120P Image IXTA1N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 تحقيق
IXTA182N055T Image IXTA182N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 تحقيق
IXTA182N055T7 Image IXTA182N055T7 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 تحقيق
IXTA1N200P3HV Image IXTA1N200P3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV تحقيق
IXTA1N100 Image IXTA1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 تحقيق
IXTA200N075T Image IXTA200N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 تحقيق
IXTA200N055T2 Image IXTA200N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار