IXGX120N60B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXGX120N60B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXGX120N60B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXGX120N60B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXGX120N60B
- رقم القطعة:
- IXGX120N60B
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 600V 200A 660W TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25560 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXGX120N60B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 120A |
| اختبار حالة: | 480V, 100A, 2.4 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 60ns/200ns |
| تحويل الطاقة: | 2.4mJ (on), 5.5mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | HiPerFAST™ |
| السلطة - ماكس: | 660W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | Q2675300 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 350nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT PT 600V 200A 660W Through Hole PLUS247™-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 300A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 200A |
| رقم جزء القاعدة: | IXG*120N60 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXGX120N60B
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار