IXFX120N25 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFX120N25، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFX120N25 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFX120N25 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFX120N25
- رقم القطعة:
- IXFX120N25
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35485 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFX120N25.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 8mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 560W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 400nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 250V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX120N25
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFV74N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXFX120N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247 | تحقيق |
 |
IXFV52N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFX140N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247 | تحقيق |
|
IXFV96N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220 | تحقيق |
|
IXFX12N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX120N25P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX120N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFV96N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFX150N15 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX100N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX140N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX120N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX120N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 120A TO-247 | تحقيق |
|
IXFX14N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFV74N20PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFX150N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 | تحقيق |
|
IXFV96N15PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFV52N30PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220-S | تحقيق |
|
IXFX100N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار