العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT30N85XHV
IXFT30N85XHV
IXFT30N85XHV
رقم القطعة:
IXFT30N85XHV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 850V 30A TO268
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
25495 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFT30N85XHV.pdf
تحقيق

المقدمة

IXFT30N85XHV متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFT30N85XHV، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFT30N85XHV عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFT30N85XHV مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 2.5mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268 (IXFT)
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:220 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):695W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2460pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:68nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):850V
وصف تفصيلي:N-Channel 850V 30A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT30N85XHV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFT340N075T2 Image IXFT340N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 340A TO268 تحقيق
IXFT40N30Q TR IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO268 تحقيق
IXFT30N50P Image IXFT30N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT26N60P Image IXFT26N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 تحقيق
IXFT36N50P Image IXFT36N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT30N60P Image IXFT30N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXFT30N50Q Image IXFT30N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT40N50Q Image IXFT40N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 تحقيق
IXFT32N50 Image IXFT32N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
IXFT30N50Q3 Image IXFT30N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT320N10T2 Image IXFT320N10T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 تحقيق
IXFT400N075T2 Image IXFT400N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 تحقيق
IXFT30N60Q Image IXFT30N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3) تحقيق
IXFT32N50Q Image IXFT32N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
IXFT28N50Q Image IXFT28N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3) تحقيق
IXFT26N60Q Image IXFT26N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 تحقيق
IXFT40N30Q Image IXFT40N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 تحقيق
IXFT30N50 Image IXFT30N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT26N50Q TR IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 26A TO268 تحقيق

Latest الأخبار